Флеш-память хранит данные с помощью электрического заряда
Подтверждено: объяснение основано на установленных данных.
В классической ячейке флеш-памяти заряд удерживается на изолированном участке транзистора — плавающем затворе. Его наличие меняет поведение транзистора, и схема считывания распознает записанное значение. Изоляция позволяет сохранять заряд годами без питания. Так устроен один из основных вариантов технологии флеш-памяти.
Коротко
Чтобы записать или стереть данные, чип проталкивает электроны сквозь изоляцию, которая обычно их бы не пустила.
Самое интересное
Флеш-память разработали в Toshiba в 1980 году, переделав более старую стираемую память, чтобы она работала быстрее. Более дешёвая схема NAND появилась в 1987 году — предок нынешних карт памяти и флешек.
Ещё одна деталь
Первые флешки, поступившие в продажу в 2000 году, вмещали 8 мегабайт. Ячейки флеш-памяти изнашиваются после множества перезаписей, поэтому накопители незаметно распределяют запись по всем ячейкам.
Подробнее
- Старые микросхемы EPROM стирали, освещая их ультрафиолетом через маленькое окошко.
- Флеш-память хранит данные без питания, в отличие от оперативной памяти компьютера.
- Флешки во многом вытеснили дискеты для переноса файлов.
Источник: Computer History Museum: Reusable semiconductor ROM introduced